本發(fā)明涉及半導體制造；更具體地，本發(fā)明涉及晶圓對中定位裝置、晶圓傳輸裝置、晶圓減薄設備及晶圓對中方法。
背景技術(shù)：
1、在半導體專用設備制造過程中，實現(xiàn)晶圓自動中心定位是一項關鍵技術(shù)。
2、在現(xiàn)代化的生產(chǎn)設備中，常見的對晶圓中心定位裝置的定位方式包括v形中心定位、旋轉(zhuǎn)中心定位等，其中：v形中心定位對v形件表面粗糙度要求高，加工難度大；旋轉(zhuǎn)中心定位裝置則存在結(jié)構(gòu)復雜，旋轉(zhuǎn)控制難度大，還存在難于控制的問題，而且精度難以保證，進而導致對晶圓的中心定位的操作比較麻煩。
技術(shù)實現(xiàn)思路
1、有鑒于此，本申請?zhí)峁┝司A對中定位裝置、晶圓傳輸裝置、晶圓減薄設備及晶圓對中方法，從而解決或者至少緩解了現(xiàn)有技術(shù)中存在的上述問題和其它方面的問題中的一個或多個。
2、為了實現(xiàn)前述目的，本申請的第一方面提供了一種晶圓對中定位裝置，其中，所述晶圓對中定位裝置包括：
3、機架，包括底座和均布于所述底座的至少三個立柱；
4、電機支架，其安裝于所述底座，所述立柱分布于所述電機支架的外周，所述電機支架的底部周緣處設置有調(diào)平螺栓；
5、驅(qū)動電機，其頂部固定于所述電機支架的頂部并且所述驅(qū)動電機的底部懸空，所述調(diào)平螺栓配置成相對于所述底座調(diào)節(jié)所述電機支架的水平度以調(diào)整所述驅(qū)動電機的水平；
6、對中基盤，所述對中基盤通過所述立柱固定于所述底座，所述對中基盤提供晶圓對中中心，所述對中基盤設置有以所述晶圓對中中心為圓心沿周向分布且沿徑向延伸的n個直線導軌，n≥3；
7、對中轉(zhuǎn)盤，所述對中轉(zhuǎn)盤設置于所述對中基盤下方，并由所述驅(qū)動電機驅(qū)動以相對于所述對中基盤旋轉(zhuǎn)，所述對中轉(zhuǎn)盤的旋轉(zhuǎn)中心對齊所述晶圓對中中心，所述對中轉(zhuǎn)盤設置有漸開螺旋導軌；以及
8、n個對中擋塊，每個所述對中擋塊均設置有伸出所述對中基盤的頂面的擋柱，n個所述對中擋塊以可滑動的方式安裝于所述漸開螺旋導軌并且以可滑動的方式分別安裝于n個所述直線導軌，在所述對中轉(zhuǎn)盤相對于所述對中基盤繞所述旋轉(zhuǎn)中心旋轉(zhuǎn)時，所述對中擋塊能夠同時沿所述漸開螺旋導軌和所述直線導軌滑動，并且在所述對中轉(zhuǎn)盤的各個圓周角度上，每個所述擋柱至所述旋轉(zhuǎn)中心的中心距恒相等，用于將所述晶圓推至對中位置。
9、在如前所述的晶圓對中定位裝置中，可選地，所述驅(qū)動電機配置成反向驅(qū)動所述對中轉(zhuǎn)盤以使所述對中擋塊的所述擋柱在對中基盤上退讓出放置晶圓的空間，以及在放置待被對中的晶圓在位后，正向驅(qū)動所述對中轉(zhuǎn)盤以收緊所述對中擋塊進行對中動作。
10、在如前所述的晶圓對中定位裝置中，可選地，所述n個直線導軌以所述晶圓對中中心為圓心沿周向均布。
11、在如前所述的晶圓對中定位裝置中，可選地，所述對中基盤在所述晶圓對中中心處設置有真空吸盤，用于吸附固定完成對中的所述晶圓，所述真空吸盤的頂部平面自所述對中基盤的頂面凸出。
12、在如前所述的晶圓對中定位裝置中，可選地，每個所述對中擋塊上設置有并置的一對所述擋柱，所述擋柱之間的間距大于所述晶圓的缺口的開口長度。
13、在如前所述的晶圓對中定位裝置中，可選地，所述漸開螺旋導軌為螺旋溝槽，所述直線導軌為導向軸，在所述對中基盤內(nèi)開設有軸向貫穿的徑向槽，所述導向軸固定在所述徑向槽內(nèi)，所述對中擋塊的底部具有適于伸入所述螺旋溝槽內(nèi)以沿所述螺旋溝槽滑動的凸起部，所述對中擋塊套設于所述導向軸上并且位于所述徑向槽內(nèi)。
14、在如前所述的晶圓對中定位裝置中，可選地，所述導向軸的兩端分別通過頂絲固定于所述對中基盤。
15、在如前所述的晶圓對中定位裝置中，可選地，所述對中擋塊通過直線軸承安裝于所述導向軸。
16、在如前所述的晶圓對中定位裝置中，可選地，所述漸開螺旋導軌為等距螺旋導軌，在所述對中轉(zhuǎn)盤的各個旋轉(zhuǎn)角度處，所述等距螺旋導軌的中心距增量相等。
17、在如前所述的晶圓對中定位裝置中，可選地，所述擋柱在所述對中擋塊上的位置設置成使得，在所述對中擋塊安裝在所述晶圓對中定位裝置上時，每個所述對中擋塊上的擋柱距所述晶圓對中中心的距離相同。
18、在如前所述的晶圓對中定位裝置中，可選地，所述擋柱設置成徑向可移動調(diào)節(jié)，所述對中擋塊上設置有擋柱位置徑向調(diào)節(jié)機構(gòu)，所述擋柱位置徑向調(diào)節(jié)機構(gòu)根據(jù)各個所述對中擋塊的間隔角度設定有調(diào)節(jié)標定位，用于調(diào)整補償所述擋柱的徑向位移差。
19、在如前所述的晶圓對中定位裝置中，可選地，所述對中轉(zhuǎn)盤設置有n個所述漸開螺旋導軌，所述漸開螺旋導軌尺寸形狀相同并且在圓周上分度均勻排布，每個所述對中擋塊分別安裝于不同的漸開螺旋導軌，并且所述對中擋塊沿周向均布。
20、在如前所述的晶圓對中定位裝置中，可選地，所述對中基盤位于所述晶圓對中定位裝置的頂部。
21、在如前所述的晶圓對中定位裝置中，可選地，所述對中基盤上設置有傳感器，所述傳感器用于識別所述晶圓的尺寸，并且，所述晶圓對中定位裝置設置成，在所述傳感器識別到所述晶圓的尺寸后，控制所述驅(qū)動電機驅(qū)動所述對中擋塊遠離所述晶圓對中中心移動以退讓出放置晶圓的空間，在放置待被對中的晶圓在位后，驅(qū)動所述對中擋塊朝向所述晶圓對中中心移動以進行對中動作。
22、為了實現(xiàn)前述目的，本發(fā)明的第二方面提供了一種晶圓傳輸裝置，其中，所述晶圓傳輸裝置包括如前述第一方面中任一項所述的晶圓對中定位裝置以及移動機構(gòu)，所述晶圓對中定位裝置用于調(diào)整晶圓位置，所述晶圓對中定位裝置與所述移動機構(gòu)連接以使所述移動機構(gòu)帶動所述晶圓對中定位裝置移動。
23、為了實現(xiàn)前述目的，本發(fā)明的第三方面提供了一種晶圓減薄設備，其中，所述晶圓減薄設備包括：
24、前端模塊，其位于晶圓減薄設備的前端，用于實現(xiàn)晶圓的進出；
25、磨削模塊，其位于晶圓減薄設備的末端，用于晶圓的磨削；
26、拋光模塊，其位于前端模塊與磨削模塊之間，用于晶圓的化學機械拋光；以及
27、如前述第二方面所述的晶圓傳輸裝置，其平行于拋光模塊并位于前端模塊與磨削模塊之間。
28、為了實現(xiàn)前述目的，本發(fā)明的第四方面面提供了一種使用如前述第一方面中任一項所述的晶圓對中定位裝置的晶圓對中方法，其中，所述方法包括如下步驟：
29、所述擋柱根據(jù)晶圓的尺寸讓出晶圓接收空間；
30、將晶圓接收于對中基盤上的真空吸盤；
31、控制所述擋塊移動以使所述擋柱推動晶圓對中；以及
32、擋柱的推動動作達到晶圓尺寸的時候停止對中。
33、本發(fā)明提供了晶圓對中定位裝置、晶圓傳輸裝置、晶圓減薄設備及晶圓對中方法，其能夠?qū)崿F(xiàn)對不同尺寸晶圓的中心定位，并且整體簡便、運行平穩(wěn)、重復定位精度高。
1.一種晶圓對中定位裝置，其特征在于，包括：
2.如權(quán)利要求1所述的晶圓對中定位裝置，其特征在于，所述驅(qū)動電機配置成反向驅(qū)動所述對中轉(zhuǎn)盤以使所述對中擋塊的所述擋柱在對中基盤上退讓出放置晶圓的空間，以及在放置待被對中的晶圓在位后，正向驅(qū)動所述對中轉(zhuǎn)盤以收緊所述對中擋塊進行對中動作。
3.如權(quán)利要求1所述的晶圓對中定位裝置，其特征在于，所述n個直線導軌以所述晶圓對中中心為圓心沿周向均布。
4.如權(quán)利要求1所述的晶圓對中定位裝置，其特征在于，所述對中基盤在所述晶圓對中中心處設置有真空吸盤，用于吸附固定完成對中的所述晶圓，所述真空吸盤的頂部平面自所述對中基盤的頂面凸出。
5.如權(quán)利要求1所述的晶圓對中定位裝置，其特征在于，所述漸開螺旋導軌為螺旋溝槽，所述直線導軌為導向軸，在所述對中基盤內(nèi)開設有軸向貫穿的徑向槽，所述導向軸固定在所述徑向槽內(nèi)，所述對中擋塊的底部具有適于伸入所述螺旋溝槽內(nèi)以沿所述螺旋溝槽滑動的凸起部，所述對中擋塊套設于所述導向軸上并且位于所述徑向槽內(nèi)。
6.如權(quán)利要求5所述的晶圓對中定位裝置，其特征在于，所述導向軸的兩端分別通過頂絲固定于所述對中基盤。
7.如權(quán)利要求5所述的晶圓對中定位裝置，其特征在于，所述對中擋塊通過直線軸承安裝于所述導向軸。
8.如權(quán)利要求1至7中任一項所述的晶圓對中定位裝置，其特征在于，所述漸開螺旋導軌為等距螺旋導軌，在所述對中轉(zhuǎn)盤的各個旋轉(zhuǎn)角度處，所述等距螺旋導軌的中心距增量相等。
9.如權(quán)利要求8所述的晶圓對中定位裝置，其特征在于，所述擋柱在所述對中擋塊上的位置設置成使得，在所述對中擋塊安裝在所述晶圓對中定位裝置上時，每個所述對中擋塊上的擋柱距所述晶圓對中中心的距離相同。
10.如權(quán)利要求9所述的晶圓對中定位裝置，其特征在于，所述擋柱設置成徑向可移動調(diào)節(jié)，所述對中擋塊上設置有擋柱位置徑向調(diào)節(jié)機構(gòu)，所述擋柱位置徑向調(diào)節(jié)機構(gòu)根據(jù)各個所述對中擋塊的間隔角度設定有調(diào)節(jié)標定位，用于調(diào)整補償所述擋柱的徑向位移差。
11.如權(quán)利要求1至7中任一項所述的晶圓對中定位裝置，其特征在于，所述對中轉(zhuǎn)盤設置有n個所述漸開螺旋導軌，所述漸開螺旋導軌尺寸形狀相同并且在圓周上分度均勻排布，每個所述對中擋塊分別安裝于不同的漸開螺旋導軌，并且所述對中擋塊沿周向均布。
12.如權(quán)利要求1至7中任一項所述的晶圓對中定位裝置，其特征在于，所述對中基盤位于所述晶圓對中定位裝置的頂部。
13.如權(quán)利要求1或2所述的晶圓對中定位裝置，其特征在于，所述對中基盤上設置有傳感器，所述傳感器用于識別所述晶圓的尺寸，并且，所述晶圓對中定位裝置設置成，在所述傳感器識別到所述晶圓的尺寸后，控制所述驅(qū)動電機驅(qū)動所述對中擋塊遠離所述晶圓對中中心移動以退讓出放置晶圓的空間，在放置待被對中的晶圓在位后，驅(qū)動所述對中擋塊朝向所述晶圓對中中心移動以進行對中動作。
14.一種晶圓傳輸裝置，其特征在于，所述晶圓傳輸裝置包括如權(quán)利要求1至13中任一項所述的晶圓對中定位裝置以及移動機構(gòu)，所述晶圓對中定位裝置用于調(diào)整晶圓位置，所述晶圓對中定位裝置與所述移動機構(gòu)連接以使所述移動機構(gòu)帶動所述晶圓對中定位裝置移動。
15.一種晶圓減薄設備，其特征在于，所述晶圓減薄設備包括：
16.一種使用如權(quán)利要求1至15中任一項所述的晶圓對中定位裝置的晶圓對中方法，其特征在于，所述方法包括如下步驟：