本發(fā)明涉及有機(jī)發(fā)光顯示技術(shù)，尤其涉及一種載流子產(chǎn)生層、制備方法及串聯(lián)有機(jī)發(fā)光器件。

背景技術(shù)：

1、串聯(lián)有機(jī)發(fā)光器件(tandem?oled)是一種通過(guò)將兩個(gè)oled器件疊加在一起形成的顯示技術(shù)。其工作原理基于oled的基本結(jié)構(gòu)，并通過(guò)一個(gè)載流子產(chǎn)生層(carriergeneration?layer，cgl)將兩個(gè)oled發(fā)光層串聯(lián)起來(lái)。第一個(gè)發(fā)光層中的空穴和電子復(fù)合發(fā)光后，剩余的空穴和電子穿過(guò)載流子產(chǎn)生層，在第二個(gè)發(fā)光層中再次復(fù)合發(fā)光。

2、傳統(tǒng)串聯(lián)有機(jī)發(fā)光器件中，載流子產(chǎn)生層通常采用高導(dǎo)電性材料(如金屬氧化物或摻雜有機(jī)材料)以提升縱向載流子注入效率。然而，此類材料的橫向?qū)щ娦暂^高，導(dǎo)致載流子在子像素間橫向遷移，引發(fā)非驅(qū)動(dòng)狀態(tài)子像素發(fā)光(電學(xué)串?dāng)_)。

3、現(xiàn)有技術(shù)通過(guò)驅(qū)動(dòng)電路補(bǔ)償或子像素隔離結(jié)構(gòu)改善(例如，增加子像素間絕緣壩bank)，但是，驅(qū)動(dòng)電路補(bǔ)償會(huì)造成驅(qū)動(dòng)算法更復(fù)雜，像素隔離結(jié)構(gòu)會(huì)增加犧牲開口率，以及增加工藝復(fù)雜度，都會(huì)導(dǎo)致成本增加。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本發(fā)明提供一種載流子產(chǎn)生層、制備方法及串聯(lián)有機(jī)發(fā)光器件，其能夠避免相鄰子像素間的電學(xué)串?dāng)_，提高顯示面板的顯示質(zhì)量，提高顯示面板的開口率，簡(jiǎn)化驅(qū)動(dòng)算法，降低成本。

2、第一方面，本發(fā)明提供了一種載流子產(chǎn)生層，包括：

3、多個(gè)相互絕緣隔離的導(dǎo)電通道，所述導(dǎo)電通道由自組裝分子沿垂直于載流子產(chǎn)生層的表面的方向排列形成；

4、絕緣阻隔，所述絕緣阻隔位于相鄰的導(dǎo)電通道之間。

5、可選的，所述自組裝分子的材料包括六氮雜苯并菲類化合物、酞菁類化合物、并五苯衍生物和稠環(huán)芳烴類化合物中的至少一種。

6、可選的，所述絕緣阻隔為絕緣納米顆粒，所述絕緣納米顆粒的粒徑范圍為1nm-10nm；

7、所述絕緣納米顆粒的界面粗糙度小于等或等于1.5nm；

8、所述絕緣納米顆粒占所述載流子產(chǎn)生層的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為1％-8％。

9、可選的，所述絕緣阻隔的材料包括sio2、tio2、znse、moox、cuox、agox和wox中的至少一種。

10、可選的，所述載流子產(chǎn)生層沿垂直于所述載流子產(chǎn)生層的表面的方向的縱向?qū)щ娐逝c沿所述載流子產(chǎn)生層的表面的任意方向的橫向?qū)щ娐实谋戎荡笥诨虻扔?0。

11、可選的，所述縱向?qū)щ娐蚀笥诨虻扔?×10-4s/cm，所述橫向?qū)щ娐市∮诨虻扔?×10-5s/cm。

12、第二方面，本發(fā)明還提供了一種載流子產(chǎn)生層制備方法，包括：

13、采用真空蒸鍍的方式在基底上沉積載流子產(chǎn)生層的前驅(qū)薄膜；

14、將所述前驅(qū)薄膜在真空環(huán)境下進(jìn)行退火，得到所述載流子產(chǎn)生層，所述載流子產(chǎn)生層包括多個(gè)相互絕緣隔離的導(dǎo)電通道和位于相鄰的導(dǎo)電通道之間的絕緣阻隔，所述導(dǎo)電通道由自組裝分子沿垂直于載流子產(chǎn)生層的表面的方向排列形成。

15、可選的，在所述真空蒸鍍過(guò)程中，控制所述基底的溫度從80℃梯度上升至150℃，蒸發(fā)速率范圍為真空度小于或等于5×10-6torr。

16、可選的，在所述退火過(guò)程中，退火溫度為200℃-250℃，退火時(shí)長(zhǎng)為5mins-10mins。

17、第三方面，本發(fā)明還提供了一種串聯(lián)有機(jī)發(fā)光器件，包括如本發(fā)明第一方面提供的載流子產(chǎn)生層。

18、本發(fā)明提供的載流子產(chǎn)生層，包括多個(gè)相互絕緣隔離的導(dǎo)電通道和絕緣阻隔，自組裝分子沿垂直于載流子產(chǎn)生層的表面的方向排列，形成垂直于載流子產(chǎn)生層的表面的方向的可供載流子遷移的導(dǎo)電通道，絕緣阻隔位于沿載流子產(chǎn)生層的表面的任意方向的任意兩個(gè)相鄰的自組裝分子之間，在自組裝分子之間形成勢(shì)壘，避免載流子沿橫向遷移，降低橫向?qū)щ娐剩瑥亩苊庀噜徸酉袼亻g的電學(xué)串?dāng)_，提高顯示面板的顯示質(zhì)量。此外，由于無(wú)需通過(guò)驅(qū)動(dòng)電路補(bǔ)償或子像素隔離結(jié)構(gòu)，提高了顯示面板的開口率，簡(jiǎn)化了驅(qū)動(dòng)算法，降低了成本。

技術(shù)特征：

1.一種載流子產(chǎn)生層，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的載流子產(chǎn)生層，其特征在于，所述自組裝分子的材料包括六氮雜苯并菲類化合物、酞菁類化合物、并五苯衍生物和稠環(huán)芳烴類化合物中的至少一種。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的載流子產(chǎn)生層，其特征在于，所述絕緣阻隔為絕緣納米顆粒，所述絕緣納米顆粒的粒徑范圍為1nm-10nm；

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的載流子產(chǎn)生層，其特征在于，所述絕緣阻隔的材料包括sio2、tio2、znse、moox、cuox、agox和wox中的至少一種。

5.根據(jù)權(quán)利要求1-4任一所述的載流子產(chǎn)生層，其特征在于，所述載流子產(chǎn)生層沿垂直于所述載流子產(chǎn)生層的表面的方向的縱向?qū)щ娐逝c沿所述載流子產(chǎn)生層的表面的任意方向的橫向?qū)щ娐实谋戎荡笥诨虻扔?0。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的載流子產(chǎn)生層，其特征在于，所述縱向?qū)щ娐蚀笥诨虻扔?×10-4s/cm，所述橫向?qū)щ娐市∮诨虻扔?×10-5s/cm。

7.一種載流子產(chǎn)生層制備方法，其特征在于，包括：

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的載流子產(chǎn)生層制備方法，其特征在于，在所述真空蒸鍍過(guò)程中，控制所述基底的溫度從80℃梯度上升至150℃，蒸發(fā)速率范圍為真空度小于或等于5×10-6torr。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的載流子產(chǎn)生層制備方法，其特征在于，在所述退火過(guò)程中，退火溫度為200℃-250℃，退火時(shí)長(zhǎng)為5mins-10mins。

10.一種串聯(lián)有機(jī)發(fā)光器件，其特征在于，包括如權(quán)利要求1-6任一所述的載流子產(chǎn)生層。

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開一種載流子產(chǎn)生層、制備方法及串聯(lián)有機(jī)發(fā)光器件，載流子產(chǎn)生層包括多個(gè)相互絕緣隔離的導(dǎo)電通道和絕緣阻隔，自組裝分子沿垂直于載流子產(chǎn)生層的表面的方向排列，形成垂直于載流子產(chǎn)生層的表面的方向的可供載流子遷移的導(dǎo)電通道，絕緣阻隔位于沿載流子產(chǎn)生層的表面的任意方向的任意兩個(gè)相鄰的自組裝分子之間，在自組裝分子之間形成勢(shì)壘，避免載流子沿橫向遷移，降低橫向?qū)щ娐?，從而避免相鄰子像素間的電學(xué)串?dāng)_，提高顯示質(zhì)量。此外，由于無(wú)需通過(guò)驅(qū)動(dòng)電路補(bǔ)償或子像素隔離結(jié)構(gòu)，提高了顯示面板的開口率，簡(jiǎn)化了驅(qū)動(dòng)算法，降低了成本。

技術(shù)研發(fā)人員：鄒建華,劉文聰,周雷,陶洪,徐苗,王磊
受保護(hù)的技術(shù)使用者：廣州新視界光電科技有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/6/26