本公開涉及量子點(diǎn)、制造量子點(diǎn)的方法、以及電子設(shè)備。
背景技術(shù)：
1、量子點(diǎn)(qd)是尺寸為幾納米的半導(dǎo)體顆粒，具有與體相半導(dǎo)體材料不同的優(yōu)異的光學(xué)和電學(xué)特性。例如，量子點(diǎn)具有通過光致發(fā)光(pl)或者電致發(fā)光(el)來發(fā)射光的特性，在光致發(fā)光(pl)中，電子從導(dǎo)帶降至價(jià)帶時(shí)產(chǎn)生光，在電致發(fā)光(el)中，通過外部電荷產(chǎn)生光。即使在量子點(diǎn)由相同材料形成的情況下，發(fā)射光的顏色也可能因量子點(diǎn)的大小而不同。由于這些特性，量子點(diǎn)被廣泛關(guān)注以用于下一代發(fā)光二極管(led)、生物傳感器、激光器、太陽能電池納米材料等領(lǐng)域。
2、同時(shí)，當(dāng)其他原子或分子接近時(shí)，量子點(diǎn)的核心表面容易形成化學(xué)鍵，這可能導(dǎo)致表面缺陷并降低發(fā)光效率。因此，為了防止核心的發(fā)光效率降低，已經(jīng)開發(fā)出具有在核心表面形成殼層的核心/殼結(jié)構(gòu)的量子點(diǎn)。
3、然而，盡管引入了殼層，但仍存在量子點(diǎn)的發(fā)光效率被限制在一定水平上的問題。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、技術(shù)問題
2、本公開的實(shí)施例可以提供發(fā)光效率得到改進(jìn)的量子點(diǎn)、制造該量子點(diǎn)的方法、以及電子設(shè)備。
3、技術(shù)方案
4、在一種方面，本公開的實(shí)施例可以提供一種量子點(diǎn)，其包括含有銀(ag)、銦(in)、鎵(ga)以及硫(s)的核心以及位于核心上的殼層，其中量子點(diǎn)可以具有由公式[1]定義的、大于或等于50％的有效吸收效率。
5、[公式1]
6、
7、在公式1中，abs300nm～470nm可以是當(dāng)量子點(diǎn)在300nm至800nm范圍內(nèi)的吸光度積分值為1時(shí)量子點(diǎn)在300nm至470nm范圍內(nèi)的吸光度積分值，qy可以是量子點(diǎn)的量子產(chǎn)率。
8、當(dāng)量子點(diǎn)的有效吸收效率可以大于或等于50％時(shí)，量子點(diǎn)的量子產(chǎn)率可以大于或等于70％。
9、殼層可以包括：第一族元素和第三族元素中的至少一者；以及第六族元素。
10、殼層中所包括的第一族元素可以包括從li、na、k、rb、cs、cu、ag和au中選擇的一者或多者。
11、殼層中所包括的第三族元素可以包括從au、al、ga、in和tl中選擇的一者或多者。
12、殼層中所包括的第六族元素可以包括從s、se和te中選擇的一者或多者。
13、殼層可以包括第一殼層和第二殼層。第一殼層可以位于核心上，并且可以包括第一族元素、第三族元素以及第六族元素。第二殼層可以位于第一殼層上，并且可以包括第三族元素和第六族元素。第一殼層和第二殼層中所包括的第三族元素和第六族元素可以相同也可以不同。
14、第一殼層可以包括如下項(xiàng)中的一項(xiàng)：agals、agalse、agalte、aggas、aggase、aggate、agins、aginse、aginte、agtis、agtise、agtite、cuals、cualse、cualte、cugas、cugase、cugate、cuins、cuinse、cuinte、cutis、cutise、cutite、auals、aualse、aualte、augas、augase、augate、auins、auinse、auinte、autis、autise、以及autite。
15、第二殼層可以包括如下項(xiàng)中的一項(xiàng)：als、alse、alte、gas、gase、gate、ins、inse、inte、tis、tise、以及tite。
16、在另一方面，本公開的實(shí)施例可以提供制造量子點(diǎn)的方法。
17、制造量子點(diǎn)的方法可以包括核心制備步驟和殼層制備步驟。
18、核心制備步驟可以是如下步驟：通過在第一反應(yīng)器中注入銀前驅(qū)體、銦前驅(qū)體、鎵前驅(qū)體、硫前驅(qū)體、以及溶劑并且使其發(fā)生反應(yīng)，來制備核心。
19、殼層制備步驟可以是如下步驟：通過在第二反應(yīng)器中注入所制備的核心并且使其發(fā)生反應(yīng)，來制備殼層，第二反應(yīng)器容納包括特定元素的前驅(qū)體。
20、量子點(diǎn)可以具有由上述公式[1]定義的、大于或等于50％的有效吸收效率。
21、當(dāng)量子點(diǎn)的有效吸收效率可以大于或等于50％時(shí)，量子點(diǎn)的量子產(chǎn)率可以大于或等于70％。
22、特定元素可以包括：第一族元素和第三族元素中的至少一者；以及第六族元素。
23、核心制備步驟可以包括步驟1-1和步驟1-2。
24、步驟1-1可以是如下步驟：通過在第一反應(yīng)器中注入并加熱銀前驅(qū)體、銦前驅(qū)體、鎵前驅(qū)體、硫前驅(qū)體、以及溶劑，來制備核心溶液。
25、步驟1-2可以是如下步驟：在核心溶液中添加純化溶劑并對(duì)所得產(chǎn)物進(jìn)行離心，并且將通過離心所分離的沉淀物分散在分散溶劑中。
26、殼層制備步驟可以包括步驟2-1和步驟2-2。
27、步驟2-1可以是如下步驟：在容納油胺的第二反應(yīng)器中注入第一族前驅(qū)體和第三族前驅(qū)體中的至少一者。
28、步驟2-2可以是如下步驟：在第二反應(yīng)器中注入經(jīng)純化的核心和包括第六族元素的第六族前驅(qū)體并且使其發(fā)生反應(yīng)。
29、殼層可以包括第一殼層和第二殼層。第一殼層可以位于核心上，并且可以包括第一族元素、第三族元素和第六族元素。第二殼層可以位于第一殼層上，并且可以包括第三族元素和第六族元素。第一殼層和第二殼層中所包括的第三族元素和第六族元素可以是相同的，也可以是不同的。
30、殼層制備步驟可以包括第一殼層制備步驟和第二殼層制備步驟。第一殼層制備步驟可以通過在容納第一族前驅(qū)體(包括第一族元素)、第三族前驅(qū)體(包括第三族元素)和第六族前驅(qū)體(包括第六族元素)的第一反應(yīng)器中注入所制備的核心并且使其發(fā)生反應(yīng)來制備第一殼層。第二殼層制備步驟可以通過在容納第三族前驅(qū)體(包括第三族元素)和第六族前驅(qū)體(包括第六族元素)的第二反應(yīng)器中注入所制備的核心和第一殼層并且使其發(fā)生反應(yīng)來制備第二殼層。
31、在另一方面，本公開的實(shí)施例可以提供一種電子設(shè)備，該電子設(shè)備可以包括顯示設(shè)備和驅(qū)動(dòng)顯示設(shè)備的控制器，該顯示設(shè)備包括發(fā)光二極管，該發(fā)光二極管包括量子點(diǎn)。量子點(diǎn)可以包括核心和位于核心上的殼層，該核心包括銀(ag)、銦(in)、鎵(ga)和硫(s)，其中量子點(diǎn)的有效吸收效率由上述公式[1]定義，可以大于或等于50％。
32、有益效果
33、在根據(jù)本公開的實(shí)施例的量子點(diǎn)、量子點(diǎn)的制造方法、以及電子設(shè)備中，量子點(diǎn)的發(fā)光效率可以得到改進(jìn)。
1.一種量子點(diǎn)，包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的量子點(diǎn)，其中，當(dāng)所述量子點(diǎn)的有效吸收效率大于或等于50％時(shí)，所述量子點(diǎn)的量子產(chǎn)率大于或等于70％。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的量子點(diǎn)，其中，所述殼層包括：第一族元素和第三族元素中的至少一者；以及第六族元素。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的量子點(diǎn)，其中，所述殼層中所包括的第一族元素包括從li、na、k、rb、cs、cu、ag、以及au中選擇的一者或多者。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的量子點(diǎn)，其中，所述殼層中所包括的第三族元素包括從au、al、ga、in、以及tl中選擇的一者或多者。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的量子點(diǎn)，其中，所述殼層中所包括的第六族元素包括從s、se、以及te中選擇的一者或多者。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的量子點(diǎn)，其中，所述殼層包括：
8.一種制造量子點(diǎn)的方法，所述方法包括：
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中，當(dāng)所述量子點(diǎn)的有效吸收效率大于或等于50％時(shí)，所述量子點(diǎn)的量子產(chǎn)率大于或等于70％。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中，所述特定元素包括：第一族元素和第三族元素中的至少一者；以及第六族元素。
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中，所述殼層中所包括的第一族元素包括從li、na、k、rb、cs、cu、ag、以及au中選擇的一者或多者。
12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中，所述殼層中所包括的第三族元素包括從au、al、ga、in、以及tl中選擇的一者或多者。
13.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中，所述殼層中所包括的第六族元素包括從s、se、以及te中選擇的一者或多者。
14.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中，所述殼層包括：
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中，所述殼層制備步驟包括：
16.一種電子設(shè)備，包括：
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的電子設(shè)備，其中，當(dāng)所述量子點(diǎn)的有效吸收效率大于或等于50％時(shí)，所述量子點(diǎn)的量子產(chǎn)率大于或等于70％。
18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的電子設(shè)備，其中，所述殼層包括：第一族元素和第三族元素中的至少一者；以及第六族元素。
19.根據(jù)權(quán)利要求16所述的電子設(shè)備，其中，所述殼層包括：