本發(fā)明涉及核電站保護(hù)系統(tǒng)領(lǐng)域，尤其涉及一種保護(hù)系統(tǒng)卡件的測(cè)試方法。
背景技術(shù)：
1、核電廠保護(hù)系統(tǒng)為大量的模擬量卡件構(gòu)成，卡件由大量的cmos器件、三極管、光耦等組成。?一旦卡件內(nèi)部器件損壞，其引發(fā)的拒動(dòng)或誤動(dòng)將直接影響電站的安全。
2、對(duì)于即將更換投用的卡件，一般對(duì)其進(jìn)行持續(xù)供電，外觀觀察卡件是否有異常情況，同時(shí)進(jìn)行指示燈測(cè)試以及邏輯功能的測(cè)試。測(cè)試步驟為：1、單一功能塊給電，驗(yàn)證指示燈指示功能正常；2、觸發(fā)邏輯動(dòng)作的輸入給電，驗(yàn)證邏輯功能正常。
3、該種測(cè)試方法存下以下問(wèn)題：
4、1、邏輯組合是測(cè)試的主體，邏輯組合測(cè)試的過(guò)程中，相應(yīng)的指示燈會(huì)隨之亮滅，將邏輯測(cè)試的同時(shí)穿插著進(jìn)行指示燈的觀測(cè)，極大的增加了測(cè)試的時(shí)間，擾亂測(cè)試人員的思維，降低了測(cè)試效率。
5、2、邏輯功能驗(yàn)證時(shí)，僅驗(yàn)證了邏輯功能可以正確觸發(fā)，但是對(duì)于不觸發(fā)動(dòng)作的輸入，沒(méi)有驗(yàn)證輸出未觸發(fā)。
6、3、測(cè)試不全面。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題是：提供一種保護(hù)系統(tǒng)卡件的測(cè)試方法，全面測(cè)試卡件性能，可靠性高。
2、本發(fā)明提供一種保護(hù)系統(tǒng)卡件的測(cè)試方法，包括以下步驟：
3、步驟1：對(duì)于全部保護(hù)系統(tǒng)卡件依次進(jìn)行指示燈測(cè)試及邏輯功能測(cè)試；
4、所述邏輯功能測(cè)試具體為依次測(cè)試每一種不觸發(fā)條件以及最低觸發(fā)條件；
5、兩個(gè)測(cè)試均通過(guò)后進(jìn)行后續(xù)步驟；
6、步驟2：確認(rèn)保護(hù)系統(tǒng)卡件的類型；
7、所述保護(hù)系統(tǒng)卡件包括邏輯卡件、信號(hào)卡件以及輸出卡件；
8、步驟3：對(duì)于邏輯卡件依次進(jìn)行延時(shí)單元測(cè)試，自保持單元測(cè)試及抗干擾測(cè)試；
9、對(duì)于信號(hào)卡件依次進(jìn)行響應(yīng)時(shí)間測(cè)試；
10、對(duì)于輸出卡件依次進(jìn)行自保持單元測(cè)試及響應(yīng)時(shí)間測(cè)試；
11、所述自保持單元測(cè)試通過(guò)置位、復(fù)位、置位及復(fù)位的循環(huán)，驗(yàn)證自保持單元在不同狀態(tài)切換下的可靠性；
12、所述抗干擾測(cè)試具體包括：
13、模擬最接近觸發(fā)條件的邏輯狀態(tài)；
14、分別進(jìn)行正向測(cè)試和反向測(cè)試，分別記錄輸出狀態(tài)變化時(shí)的電壓值，比較正向測(cè)試時(shí)的翻轉(zhuǎn)電壓差，以及供電電壓與反向測(cè)試時(shí)的翻轉(zhuǎn)電壓值之差；
15、取相對(duì)較小的值與設(shè)計(jì)參考值進(jìn)行比較，判斷抗干擾性能。
16、在本發(fā)明一具體實(shí)施方式中，所述響應(yīng)時(shí)間測(cè)試前還進(jìn)行繼電器觸點(diǎn)性能測(cè)試。
17、在本發(fā)明一具體實(shí)施方式中，所述自保持單元測(cè)試，以繼電器為執(zhí)行部件進(jìn)行驗(yàn)證，具體包括：
18、在自保持單元的初始狀態(tài)未知的情況下，先將其置于置位的位置；
19、隨后改變輸入，輸入復(fù)位信號(hào)，驗(yàn)證繼電器是否能正常解除自保持狀態(tài)；
20、再次輸入置位信號(hào)，重新施加置位信號(hào)，觸發(fā)自保持功能，驗(yàn)證繼電器能否再次被正確置位；
21、最后再次施加復(fù)位信號(hào)，確保繼電器最終處于復(fù)位狀態(tài)。
22、在本發(fā)明一具體實(shí)施方式中，所述抗干擾測(cè)試具體包括：
23、對(duì)于m/n邏輯，將初始狀態(tài)設(shè)置為(m-1)/n狀態(tài)，以模擬在最接近觸發(fā)條件時(shí)對(duì)干擾的敏感度；
24、未觸發(fā)的輸入信號(hào)逐步升高電壓，直至系統(tǒng)輸出狀態(tài)改變?yōu)橛|發(fā)，記錄此時(shí)電壓值為v1；
25、已觸發(fā)的輸入信號(hào)逐步降低電壓，直至系統(tǒng)輸出狀態(tài)恢復(fù)至未觸發(fā)，記錄此時(shí)的電壓值為v2；
26、抗干擾電壓v抗為min{v1,vdd-v2}；
27、vdd為邏輯單元的供電電壓；
28、抗干擾能力表示為|v抗-v參考|；
29、v抗與v參考越接近，則表明抗干擾能力越強(qiáng)；|v抗-v參考|≤0.5v則認(rèn)為合格。
30、在本發(fā)明一具體實(shí)施方式中，所述繼電器觸點(diǎn)性能測(cè)試，具體包括：
31、接觸電阻測(cè)試；絕緣電阻測(cè)試；觸點(diǎn)容量測(cè)試；動(dòng)作時(shí)間與釋放時(shí)間測(cè)試；機(jī)械壽命與電氣壽命測(cè)試；環(huán)境適應(yīng)性測(cè)試；動(dòng)態(tài)接觸電阻測(cè)試；觸點(diǎn)彈跳測(cè)試。
32、在本發(fā)明一具體實(shí)施方式中，所述響應(yīng)時(shí)間測(cè)試，具體包括：
33、對(duì)于m/n邏輯，輸入信號(hào)將其置于（m-1）/n狀態(tài)，當(dāng)最后一路邏輯符合的信號(hào)傳輸進(jìn)來(lái)時(shí)，記為0時(shí)刻，記錄輸出翻轉(zhuǎn)的時(shí)刻為t2，t2若小于針對(duì)于現(xiàn)場(chǎng)的參考響應(yīng)時(shí)間，則卡件的該功能合格；
34、若t2大于參考響應(yīng)時(shí)間，則卡件的該功能不合格。
35、在本發(fā)明一具體實(shí)施方式中，所述現(xiàn)場(chǎng)參考響應(yīng)時(shí)間為邏輯符合信號(hào)翻轉(zhuǎn)與輸出信號(hào)翻轉(zhuǎn)的時(shí)間差，不同卡件的響應(yīng)時(shí)間不同，參考響應(yīng)時(shí)間均設(shè)置為20ms。
36、在本發(fā)明一具體實(shí)施方式中，所述延時(shí)單元測(cè)試具體包括：
37、將保護(hù)系統(tǒng)卡件的延時(shí)單元輸入時(shí)刻記為0，記錄起輸出時(shí)刻為t，判斷輸出時(shí)刻與輸入時(shí)刻之差，獲得延時(shí)時(shí)間t延時(shí)；
38、判斷所述延時(shí)時(shí)間是否滿足工藝要求，若滿足則進(jìn)行后續(xù)測(cè)試，若不滿足則判定為不合格。
39、在本發(fā)明一具體實(shí)施方式中，所述延時(shí)時(shí)間的合格標(biāo)準(zhǔn)是t延時(shí)≤t參考±10%。
40、在本發(fā)明一具體實(shí)施方式中，所述指示燈測(cè)試具體包括以下步驟：
41、對(duì)所有保護(hù)系統(tǒng)卡件一次性輸入信號(hào)給電，觀察各個(gè)保護(hù)系統(tǒng)卡件的指示燈狀態(tài)；
42、若指示燈不亮，則保護(hù)系統(tǒng)卡件不合格；
43、若指示燈閃亮，則進(jìn)行邏輯功能測(cè)試。
44、與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的保護(hù)系統(tǒng)卡件的測(cè)試方法，針對(duì)不同的卡件類型設(shè)計(jì)了完備的測(cè)試順序及測(cè)試方法，實(shí)現(xiàn)了對(duì)卡件的功能及性能的全面評(píng)估；本發(fā)明通過(guò)增強(qiáng)測(cè)試方法，不僅驗(yàn)證邏輯功能的正確觸發(fā)，還全面覆蓋了保護(hù)系統(tǒng)卡件的各項(xiàng)性能指標(biāo)，確保了測(cè)試的全面性，從而及時(shí)發(fā)現(xiàn)卡件潛在的安全隱患；能夠更準(zhǔn)確地模擬實(shí)際工作環(huán)境，提高了測(cè)試結(jié)果的可靠性，有效避免了因測(cè)試不足而導(dǎo)致的核泄漏等嚴(yán)重后果；能夠及時(shí)發(fā)現(xiàn)核安全卡件的潛在問(wèn)題，為故障預(yù)防和早期干預(yù)提供了可能，降低了核安全事故的風(fēng)險(xiǎn)；通過(guò)提高測(cè)試的全面性和可靠性，本發(fā)明能夠有效避免因卡件故障導(dǎo)致的核泄漏等嚴(yán)重后果，保障了核設(shè)施的安全運(yùn)行。
1.一種保護(hù)系統(tǒng)卡件的測(cè)試方法，其特征在于，包括以下步驟：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的保護(hù)系統(tǒng)卡件的測(cè)試方法，其特征在于，所述響應(yīng)時(shí)間測(cè)試前還進(jìn)行繼電器觸點(diǎn)性能測(cè)試。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的保護(hù)系統(tǒng)卡件的測(cè)試方法，其特征在于，所述自保持單元測(cè)試，以繼電器為執(zhí)行部件進(jìn)行驗(yàn)證，具體包括：
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的保護(hù)系統(tǒng)卡件的測(cè)試方法，其特征在于，所述抗干擾測(cè)試具體包括：
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的保護(hù)系統(tǒng)卡件的測(cè)試方法，其特征在于，所述繼電器觸點(diǎn)性能測(cè)試，具體包括：
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的保護(hù)系統(tǒng)卡件的測(cè)試方法，其特征在于，所述響應(yīng)時(shí)間測(cè)試，具體包括：
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的保護(hù)系統(tǒng)卡件的測(cè)試方法，其特征在于，所述現(xiàn)場(chǎng)參考響應(yīng)時(shí)間為邏輯符合信號(hào)翻轉(zhuǎn)與輸出信號(hào)翻轉(zhuǎn)的時(shí)間差，不同卡件的響應(yīng)時(shí)間不同，參考響應(yīng)時(shí)間均設(shè)置為20ms。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的保護(hù)系統(tǒng)卡件的測(cè)試方法，其特征在于，所述延時(shí)單元測(cè)試具體包括：
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的保護(hù)系統(tǒng)卡件的測(cè)試方法，其特征在于，所述延時(shí)時(shí)間的合格標(biāo)準(zhǔn)是t延時(shí)≤t參考±10%。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的保護(hù)系統(tǒng)卡件的測(cè)試方法，其特征在于，所述指示燈測(cè)試具體包括以下步驟：