本發(fā)明涉及半導體器件加工領域，尤其涉及一種加熱盤。
背景技術：
1、在半導體器件的加工領域，現(xiàn)有適用于加工切邊晶圓的加熱盤主要有兩種，一種是直徑與晶圓尺寸完全匹配的加熱盤結(jié)構(gòu)，另一種是直徑大于晶圓尺寸并通過外圍陶瓷套定位的加熱盤結(jié)構(gòu)。然而，這兩種結(jié)構(gòu)在實際應用中均存在缺陷。在尺寸完全匹配的加熱盤結(jié)構(gòu)中，鋁基材料的加熱盤邊緣在高頻電場作用下易產(chǎn)生局部放電，形成電弧(arcing)，導致晶圓邊緣等離子體異常電離損傷。此外，在利用外圍陶瓷套定位的加熱盤結(jié)構(gòu)中，切邊晶圓邊緣區(qū)域存在硅、金屬、陶瓷三種材料，容易由于材料的介電常數(shù)差異引發(fā)射頻電場分布嚴重不均，進一步加劇電弧放電概率并惡化工藝均勻性，進而造成晶圓損傷
2、為了克服現(xiàn)有技術存在的上述缺陷，本領域亟需一種改進的加熱盤，用于避免晶圓邊緣產(chǎn)生電弧放電，從而保護晶圓不被損傷。
技術實現(xiàn)思路
1、以下給出一個或多個方面的簡要概述以提供對這些方面的基本理解。此概述不是所有構(gòu)想到的方面的詳盡綜覽，并且既非旨在指認出所有方面的關鍵性或決定性要素亦非試圖界定任何或所有方面的范圍。其唯一的目的是要以簡化形式給出一個或多個方面的一些概念以為稍后給出的更加詳細的描述之前序。
2、為了克服現(xiàn)有技術存在的上述缺陷，本發(fā)明提供了一種加熱盤，可以通過在加熱盤中心設置與晶圓邊緣具有一間隔夾角的限位陶瓷柱對晶圓進行限位，用于避免晶圓邊緣產(chǎn)生電弧放電，從而保護晶圓不被損傷。
3、具體來說，根據(jù)本發(fā)明的第一方面提供的上述加熱盤包括加熱盤本體及多個限位陶瓷柱。所述加熱盤本體用于承載待加工的晶圓。所述多個限位陶瓷柱，設于所述加熱盤本體上的多個位置。各所述限位陶瓷柱的外切圓的第一半徑等于所述晶圓的第二半徑，以實現(xiàn)對所述晶圓在水平方向的定位。各所述限位陶瓷柱與所述晶圓的切邊皆至少保持一安全夾角，以避免所述晶圓的邊緣產(chǎn)生電弧放電。
4、進一步地，在本發(fā)明的一些實施例中，所述限位陶瓷柱突出所述加熱盤本體的高度不小于所述晶圓的厚度。
5、進一步地，在本發(fā)明的一些實施例中，所述限位陶瓷柱的頂部呈圓弧狀，以實現(xiàn)放置所述晶圓時的自動導向。
6、進一步地，在本發(fā)明的一些實施例中，所述晶圓的材料為硅。所述加熱盤本體的材料為鋁。
7、進一步地，在本發(fā)明的一些實施例中，所述加熱盤還包括陶瓷套，設于所述加熱盤本體外側(cè)，用于避免所述加熱盤本體邊緣產(chǎn)生電弧放電，從而避免所述晶圓損傷。
8、進一步地，在本發(fā)明的一些實施例中，所述陶瓷套的材料為氧化鋁。
9、進一步地，在本發(fā)明的一些實施例中，所述加熱盤本體上設有至少一個凸起的支撐陶瓷柱，用于支撐所述晶圓的背面。
10、進一步地，在本發(fā)明的一些實施例中，所述加熱盤本體上設有六個凸起的支撐陶瓷柱。三個第一支撐陶瓷柱在預設的第三半徑的圓上周向均勻分布。三個第二支撐陶瓷柱在預設的第四半徑的圓上周向均勻分布。所述第三半徑大于第四半徑。
11、進一步地，在本發(fā)明的一些實施例中，所述加熱盤本體上設有至少一個升降銷，用于升降所述晶圓。
12、進一步地，在本發(fā)明的一些實施例中，所述加熱盤本體上設有三個升降銷。三個所述升降銷在預設的第五半徑的圓上周向均勻分布。
1.一種加熱盤，其特征在于，包括：
2.如權(quán)利要求1所述的加熱盤，其特征在于，所述限位陶瓷柱突出所述加熱盤本體的高度不小于所述晶圓的厚度。
3.如權(quán)利要求1所述的加熱盤，其特征在于，所述限位陶瓷柱的頂部呈圓弧狀，以實現(xiàn)放置所述晶圓時的自動導向。
4.如權(quán)利要求1所述的加熱盤，其特征在于，所述晶圓的材料為硅，所述加熱盤本體的材料為鋁。
5.如權(quán)利要求1所述的加熱盤，其特征在于，還包括：
6.如權(quán)利要求5所述的加熱盤，其特征在于，所述陶瓷套的材料為氧化鋁。
7.如權(quán)利要求1所述的加熱盤，其特征在于，所述加熱盤本體上設有至少一個凸起的支撐陶瓷柱，用于支撐所述晶圓的背面。
8.如權(quán)利要求7所述的加熱盤，其特征在于，所述加熱盤本體上設有六個凸起的支撐陶瓷柱，其中，三個第一支撐陶瓷柱在預設的第三半徑的圓上周向均勻分布，三個第二支撐陶瓷柱在預設的第四半徑的圓上周向均勻分布，所述第三半徑大于第四半徑。
9.如權(quán)利要求1所述的加熱盤，其特征在于，所述加熱盤本體上設有至少一個升降銷，用于升降所述晶圓。
10.如權(quán)利要求8所述的加熱盤，其特征在于，所述加熱盤本體上設有三個升降銷，其中，三個所述升降銷在預設的第五半徑的圓上周向均勻分布。