本發(fā)明涉及線路板，尤其涉及一種hdi板及其制備方法。
背景技術(shù)：
1、高密度互連板(high?density?interconnect，hdi)是使用微盲埋孔技術(shù)的一種線路分布密度比較高的電路板。
2、現(xiàn)有技術(shù)中，在對埋孔進行塞孔后，需要在埋孔表面電鍍一整層銅層，以便后續(xù)采用激光光源鐳射鉆出盲孔時，保證激光光源在銅層的位置停止刻蝕，以制得盲孔。在埋孔表面電鍍一層銅會增加電路板的整體厚度，且工藝制備過程繁瑣。
技術(shù)實現(xiàn)思路
1、本發(fā)明提供一種hdi板及其制備方法，以簡化制備工藝，提高制備效率。
2、第一方面，本發(fā)明提供了一種hdi板的制備方法，包括：
3、提供電路板本體；所述電路板本體包括子通孔，所述電路板本體包括至少兩層芯板以及位于相鄰兩層所述芯板之間的介質(zhì)層，所述子通孔貫穿各所述芯板；
4、對所述子通孔依次進行電鍍、塞孔、打磨，以形成導通各所述芯板的子導通孔；
5、提供第一子板和第二子板；所述第一子板包括至少一層所述芯板和至少一層所述介質(zhì)層，所述第二子板包括至少一層所述芯板和至少一層所述介質(zhì)層；
6、將所述第一子板和所述第二子板分別置于所述電路板本體的第一表面?zhèn)群偷诙砻鎮(zhèn)?，并壓合所述第一子板、所述電路板本體和所述第二子板，以形成hdi母板；所述hdi母板包括埋孔；
7、在所述第一子板中背鉆出盲孔；在所述hdi母板的厚度方向上，所述盲孔與所述埋孔至少部分交疊；
8、對所述盲孔電鍍導電層，以形成所述hdi板；所述導電層覆蓋所述盲孔的側(cè)壁和所述盲孔的底部。
9、可選的，在所述hdi母板的厚度方向上，所述盲孔的深度a1，所述電路板本體中靠近所述第一子板的芯板的厚度為a0；所述第一子板的厚度為a2；
10、其中，0mil≤a1-a2＜a0。
11、可選的，對所述盲孔電鍍導電層后，還包括：
12、對所述盲孔進行塞孔、打磨，以形成所述hdi板。
13、可選的，對所述盲孔進行塞孔、打磨之后，還包括：
14、對所述盲孔背離所述電路板本體的一側(cè)表面電鍍導電蓋帽，以形成所述hdi板。
15、可選的，在壓合所述第一子板、所述電路板本體和所述第二子板，以形成hdi母板之后，還包括：
16、對所述hdi母板進行鉆孔，以形成貫穿所述hdi母板的至少一個通孔；
17、對所述通孔依次進行電鍍、塞孔、打磨，以形成導通各所述芯板的導通孔。
18、可選的，提供電路板本體，包括：
19、提供至少兩層所述芯板；
20、提供至少一層所述介質(zhì)層；
21、交替放置所述芯板和所述介質(zhì)層，以使所述介質(zhì)層位于相鄰兩個所述芯板之間；
22、壓合各所述芯板和所述介質(zhì)層，以形成壓合板；
23、對所述壓合板進行鉆孔，以形成包括貫穿各所述芯板的至少一個所述子通孔的所述電路板本體。
24、可選的，將所述第一子板和所述第二子板分別置于所述電路板本體的第一表面?zhèn)群偷诙砻鎮(zhèn)?，包括?/p>
25、將所述第一子板的所述介質(zhì)層置于所述第一表面?zhèn)龋瑢⑺龅诙影宓乃鼋橘|(zhì)層置于所述第二表面?zhèn)取?/p>
26、可選的，在所述第一子板中背鉆出盲孔，包括：
27、采用機械鉆機鉆出所述盲孔。
28、可選的，所述盲孔的孔徑為b1，所述埋孔的孔徑為b2；
29、其中，b1≤b2。
30、第二方面，本發(fā)明提供了一種hdi板，采用第一方面所述的hdi板的制備方法制得。
31、本發(fā)明提供的技術(shù)方案，通過對電路板本體的子通孔依次進行電鍍、塞孔、打磨，以形成導通各芯板的子導通孔，無需為子導通孔設置覆蓋子導通孔內(nèi)阻焊材料的導電層，以減少制備流程，提高制備效率。電路板本體的子導通孔制備完成后，將第一子板和第二子板分別置于電路板本體的第一表面?zhèn)群偷诙砻鎮(zhèn)?，并壓合第一子板、電路板本體和第二子板，以形成hdi母板，此時子導通孔便為hdi母板的埋孔，之后在第一子板中背鉆出與埋孔至少部分交疊的盲孔，對盲孔的側(cè)壁和盲孔的底部電鍍導電層，以使盲孔可以通過側(cè)壁和/或底部的導電層與埋孔電連接，以減小制備hdi板所使用的導電材料，提高導電材料的利用率。
1.一種hdi板的制備方法，其特征在于，包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，在所述hdi母板的厚度方向上，所述盲孔的深度a1，所述電路板本體中靠近所述第一子板的芯板的厚度為a0；所述第一子板的厚度為a2；
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，對所述盲孔電鍍導電層后，還包括：
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的制備方法，其特征在于，對所述盲孔進行塞孔、打磨之后，還包括：
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，在壓合所述第一子板、所述電路板本體和所述第二子板，以形成hdi母板之后，還包括：
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，提供電路板本體，包括：
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，將所述第一子板和所述第二子板分別置于所述電路板本體的第一表面?zhèn)群偷诙砻鎮(zhèn)?，包括?/p>
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，在所述第一子板中背鉆出盲孔，包括：
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述盲孔的孔徑為b1，所述埋孔的孔徑為b2；
10.一種hdi板，其特征在于，采用權(quán)利要求1-9任一項所述的hdi板的制備方法制得。